真空镀膜设备实验分析与讨论
1）蒸发过程中的真空条件
真空容器内蒸汽分子的平均自由程大于蒸发源与基片的距离 （称蒸距）时， 就会获得充分的真空条件。为此， 增加残余气体的平均自由程， 借以减少蒸汽分子与残余气体分子的碰撞几率， 把真空室内抽成高真空是非常必要的。
2）蒸发源选取原则
①有良好的热稳定性，化学性质不活泼，达到蒸发温度时加热器本身的蒸汽压要足够底。
②蒸发源的熔点要高于被蒸发物的蒸发温度。加热器要有足够大的热容量。
③蒸发物质和蒸发源材料的互熔性必须很底，不易形成合金。
④要求线圈状蒸发源所用材料能与蒸发材料有良好的浸润，有较大的表面张力。
⑤对于不易制成丝状、或蒸发材料与丝状蒸发源的表面张力较小时，可采用舟状蒸发源。
3）热蒸发镀膜主要物理过程
①采用各种形式的热能转换方式，使镀膜材料蒸发或升华，成为具有一定能量（0.1~0.3eV）的气态粒子（原子、分子或原子团）；
②气态粒子通过基本上无碰撞的直线运动方式传输到基片；
③粒子沉积在基片表面上并凝聚成薄膜。
4）影响真空镀膜质量和厚度的因素:
影响真空镀膜质量和厚度的因素有很多，主要有真空度、蒸发源的形状、基片的位置、蒸发源的温度等。固体物质在常温和常压下，蒸发量极低。真空度越高，蒸发源材料的分子越易于离开材料表面向四周散射。真空室内的分子越少，蒸发分子与气体分子碰撞的概率就越小，从而能无阻挡地直线达到基片的表面。
实验总结
本实验是有关真空镀膜技术的基础性实验，属于技术性实验，通过这个实验让我进一步熟悉真空获得和测量，学会使用蒸发镀膜技术，了解蒸发镀膜的原理及方法和了解真空镀膜技术。同时培养了我严谨的作风，提供了极好的学习与实践机会。
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